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满久抛光液

发布时间:2019-09-10 15:59人气:
  • 满久抛光液
抛光液不含任何硫,磷,氯抛光剂,水溶性添加剂,具有良好脱脂,防锈,清洁和信誉性能的抛光液,金属制品可以揭示真实金属光泽稳定,无毒操作,环境污染等优点。  
它由棘轮扳手,开口扳手,咀批,套筒扳手,六角扳手,螺丝刀,锡,锌合金经过金属制品研磨后,用抛光剂和振动抛光机进行抛光,轻型滚筒抛光机的抛光配方。  
1,抛光剂的数量是根据不同的产品尺寸,尺寸和抛光公司产品亮度要求正确配置的  
2,抛光时间:根据产品的状态来设定;  
3,抛光后用水完成清洗和干燥。  
这两个主要概念在半导体工艺中,第一个半导体衬底(衬底片),然后进行机械抛光,如氧化镁,氧化锆和抛光,表面对晶片造成的损坏极为严重。直到20世纪60年代后期,一种新的机械抛光技术——化学抛光技术(CMP化学机械抛光)取代了旧方法。CMP技术结合了化学抛光和机械抛光的优点:简单的化学抛光,抛光速度更快,表面光洁度高,损伤小,平整度好,但表面平整度和平行度差,一致性差,抛光后表面;纯机械表面抛光均匀性好,表面平整,但表面光洁度差,受损层深度。化学机械抛光可以获得相对平坦的表面,但是可以获得高抛光速率,以获得比其他方法高两个数量级的平坦度,这是实现全局平坦化的有效方法。  
基于机械转变原理,半导体材料工程,化学,多相反应理论材料的多相催化,表面工程,化学半导体理论,抛光化学机理研究单晶硅片机械(CMP)和动力学因素控制指示过程,化学机械抛光是多相反应的动力学复合体,有两种:  
(1)抛光在基板片表面上的硅原子上吸附在抛光布上的抛光液中氧化剂,催化剂等的氧化,还原等的动力学过程。这是化学反应的主体。  
(2)将试剂表面抛光远离单晶硅表面的动力学过程,即解吸过程以重新暴露单一未反应的硅晶体。控制抛光速率是另一个重要的过程。  
硅晶片的化学机械抛光工艺是基于化学反应的机械抛光工艺。为了获得高质量的抛光片,必须在抛光过程中平衡化学腐蚀效应和机械研磨效果。如果化学腐蚀作用大于机械抛光效果,则抛光片的表面被腐蚀并呈橙色。如果机械研磨作用大于化学腐蚀作用,则表面会产生高损伤层。根据主要成分,抛光液的主要产品可分为以下几大类:金刚石抛光液(多晶金刚石抛光液,单晶金刚石抛光液和纳米金刚石抛光液),氧化硅抛光液(即CMP抛光液),氧化铈抛光液,氧化铝抛光液和碳化硅抛光液。[2]  
多晶金刚石抛光液  
以多晶金刚石微粉为主要成分的多晶金刚石抛光液,结合高分散性配方,在保持高切割速度的同时不易刮伤研磨材料。  
它主要用于蓝宝石衬底的研磨,随后LED芯片的薄化,光学晶体和硬盘头的研磨和抛光。  
二氧化硅抛光液  
二氧化硅抛光液(CMP抛光液)是一种低纯度金属离子抛光产品,其通过使用高纯硅粉作为原料的特殊工艺生产。  
它广泛用于各种材料的高级抛光,如硅晶片,硅晶片,化合物半导体材料,如砷化镓,磷化铟,精密光学,蓝宝石晶片等。  
氧化铈抛光液  
氧化铈抛光液是氧化铈抛光液,其为微米或亚微米级CeO2作为磨料,并且抛光液具有良好的分散性,细小的粒径,均匀的尺寸分布。颗粒和中等硬度。  
适用于高精度光学仪器,光学镜片,玻璃陶瓷基板,玻璃表面,集成电路光学等的精密抛光。  
氧化铝和碳化硅抛光液  
它是一种抛光液,含有超细氧化铝和微碳化硅粉末作为磨料。主要成分是微米磨料或亚微米级。  
主要用于高精度光学仪器,硬盘基板,磁头,陶瓷,光纤连接器等的打磨和抛光。

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